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      政策

      工信部公開征求對《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2015年本)》(征求意見稿)的意見

      發(fā)布時間: 2015-01-13 09:53:18    來源: 工信部
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      [摘要]為進(jìn)一步加強(qiáng)光伏制造行業(yè)管理,促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,推動光伏行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和市場應(yīng)用,根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)、產(chǎn)業(yè)政策和行業(yè)規(guī)劃,工業(yè)和信息化部組織協(xié)會、專家、企業(yè)對原《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》進(jìn)行了修訂,形成《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2015年本)》(征求意見稿),工信部現(xiàn)公開征求意見。

        二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)

        (一)光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。

        (二)光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件:在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立,具有獨(dú)立法人資格;具有太陽能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力;具有省級以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì),每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣;申報(bào)符合規(guī)范名單時上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第(三)款產(chǎn)能要求的50%。

        (三)光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求:

        1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模不低于3000噸/年;

        2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸;

        3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸;

        4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片;

        5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp;

        6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp;

        7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp;

        8.逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp。

        (四)現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求:

        1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求;

        2.多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命大于2μs,碳、氧含量分別小于16和14PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs,碳、氧含量分別小于2和18PPMA;

        3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17.5%和18.5%;

        4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于15.5%和16%;

        5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、11%、11%、10%。

        6.含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于96%,不含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國加權(quán)效率不得低于98%。

        (五)新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求:

        1.多晶硅滿足《硅多晶》(GB/T12963)2級品以上要求;

        2.多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命大于2.5μs,碳、氧含量分別小于8和6PPMA;單晶硅片少子壽命大于11μs,碳、氧含量分別小于1和16PPMA;

        3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18.5%和20%;

        4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%;

        5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。

        (六)多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內(nèi)分別不高于2.5%和3%,25年內(nèi)不高于20%;薄膜電池組件衰減率在1年內(nèi)不高于5%,25年內(nèi)不高于20%。

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